阿斯麦电话会定调：存储客户今年产能已售罄长单托底非EUV增长“周期性拐点确立”

  公司将全年净销售额预期上调至360亿至400亿欧元。管理层明确说，这一指引区间已包含出口管制不确定性的潜在影响。

  存储客户2026年产能售罄。客户明确告知，2026年产能已全部售罄，供应紧张将持续到2026年以后。大量需求背后有下游客户的长期承诺支撑。

  非EUV业务需求逆转。此前预期非EUV业务与去年持平，现上调至增长。浸没式DUV需求在2025年大幅走弱后已逆转，今年销量预计接近去年水平。

  技术路线方面，High NA减掩模缩步骤。客户报告数据显示，High NA可将EUV掩模从3块减至1块，工艺步骤从100步压缩至10步，且可覆盖未来3至4个制程节点。1000瓦光源确保Low NA可延伸至2031年。

  4月15日，ASML举行业绩电线%，均高于市场预期。同时，公司还将全年净销售额指引上调至360亿至400亿欧元。然而，

  ——销售额中值约87亿欧元，低于市场预期的90.7亿欧元，毛利率也环比下滑。这份偏弱的短期指引，导致盘后股价一度跌超2%。市场真正担心的，是三个更长期的问题：非EUV业务改善是短单回补还是周期性拐点？存储扩产前移能否持续？出口限制收紧后腾挪空间有多大？电话会上，管理层逐一给出了明确答案。

  。核心驱动力浸没式DUV需求在2025年大幅走弱后“已经逆转”，今年销量预计接近去年水平。管理层口风偏暖：非EUV需求逆转，暗示拐点而非短单。

  CEO明确说，客户2026年产能“已经售罄”，供应紧张将持续到2026年以后。更重要的是，大量需求背后有下游客户的长期承诺支撑——这不是投机性备货，而是有真实需求托底的扩产前移。

  公司表示，360亿至400亿欧元的全年指引区间已包含出口管制不确定性的潜在影响，自认具备足够的缓冲能力。此外，产能目标与技术突破进一步强化信心： 2026年Low NA EUV出货至少60台，2027年至少80台。技术层面，1000瓦光源确保Low NA延伸至2031年；High NA可将掩模从3块减至1块、工艺步骤从100步压缩至10步，覆盖未来3至4个节点。

  。罗杰·达森透露，2025年浸没式DUV需求曾大幅走弱，导致今年开局偏慢，但此后需求趋势已发生逆转。“尽管开局缓慢，就今年而言，按单位数量计算，我们仍就预计浸没式DUV的销售额将与去年非常接近。”干式DUV及应用业务同样表现良好。从定性角度看，这一改善并非短期订单回补，而是结构性拐点。客户产能持续紧张、AI基础设施投资外溢至成熟制程，以及长期产能建设规划的落地，共同支撑了非EUV需求的可持续性。

  这意味着客户扩产计划已大幅前移，对阿斯麦的设备交付形成了明确且紧迫的需求。从需求结构看，先进存储（尤其是与AI相关的HBM等）是扩产的主力。克里斯托夫·富凯进一步指出，客户不仅增加了资本支出，还“试图加速其在2026年及以后的产能爬坡”。更重要的是，大量需求背后有来自其下游客户的长期承诺支持，增强了订单的可见度。

  然而，2027年及以后的持续性仍需观察。目前阿斯麦并未披露客户长期承诺的具体覆盖年限或签约进度。虽然AI基础设施投资的中长期逻辑稳固，但存储芯片固有的周期性波动意味着，一旦终端需求增速放缓，扩产节奏可能面临调整。

  在非EUV产品线方面，公司亦计划使相关业务与客户在各节点的需求保持匹配。克里斯托夫·富凯补充称，公司将持续与客户紧密协作，通过新系统出货、现有系统性能升级和安装基础产品三管齐下，帮助客户扩充产能。

  短期内，ASML已将NXE:3800E系统的吞吐量从每小时220片提升至230片；下一代系统NXE:3800F的规格亦从每小时250片提升至260片，预计将于2028年前后助力产能提升。

  高数值孔径EUV方面，克里斯托夫·富凯表示，客户在SPIE大会上开始公开讨论High NA的应用进展。客户报告数据显示，High NA可将EUV所需掩模版数量从3块减少至1块，并将工艺步骤从100步压缩至10步。在ECO层面，光刻胶合作伙伴的研究表明，High NA在逻辑芯片领域可延伸至18纳米线间距，在存储芯片领域可延伸至28纳米孔径，且可覆盖3至4个制程节点。克里斯托夫·富凯表示，随着客户开始在真实产品上测试High NA，设备成熟度持续提升，每日晶圆产出数据持续改善。

  这一表态传递出两个重要信号。其一，ASML对自身业务的地理结构和产品组合具有信心，认为即便限制收紧，仍可通过调配资源、优先满足别的市场需求来对冲负面影响。罗杰·达森此前也强调，公司正“完全与客户保持一致，为他们提供所需的东西”，这种灵活性是应对地理政治学不确定性的重要基础。其二，公司并未将出口限制视为颠覆性风险，而是在指引层面已做了相应的保守预估。

  当然，出口管制的演变路径仍具有高度不确定性。若限制范围超出当前预期，或涉及更多先进设备型号，ASML的实际腾挪空间仍需动态评估。但就目前而言，公司明确传递了“可控”的信号。

  本季度总净销售额为88亿欧元，符合指引。其中，安装基础业务收入为25亿欧元，略高于指引。第一季度毛利率为53%，处于我们指引区间的高端。我刚才提到的安装基础业务超出了我们的预期。该业务中的某些部分实际上带来了相当强劲的毛利率。因此，我们实现了53%的较高毛利率。本季度纯利润是28亿欧元。

  对于第二季度，我们预计总净销售额在84亿至90亿欧元之间。其中，安装基础业务收入预计仍为25亿欧元。我们预计毛利率在51%至52%之间。

  克里斯托夫，现在换您来回答。能否请您谈谈对市场的展望以及您目前对形势的看法？

  我认为我们正真看到半导体行业的增长持续稳固。这仍然主要由对AI基础设施的投资所驱动。这转化为对先进存储芯片、先进逻辑芯片的巨大需求。我们预计，在可预见的未来，供应将不足以满足需求。这从AI到移动电子设备和个人电脑的终端市场造成了严重的供应制约。因此，我们的客户被强烈要求创造更多产能。从存储芯片来看，我们的客户告诉我们，他们2026年的产能已经售罄，供应紧张将持续到2026年以后。对于先进逻辑芯片，我们正真看到客户正在为多个节点建设产能，同时他们也在继续提升2纳米制程的产能，以满足AI产品的需求。

  那么，我想可以公平地说，这些产能的增加中有很多都对我们的自身展望产生了积极影响？

  绝对如此。我们正真看到存储芯片和逻辑芯片客户正在增加资本支出，并试图加速其在2026年及以后的产能提升。同样很有趣的是，这种需求中有很大一部分得到了客户自身客户的长期承诺的支持。最重要的是，我们正真看到存储芯片客户（DRAM客户）和先进逻辑芯片客户都在继续增加对极紫外光刻（EUV）和浸没式光刻（immersion）的采用。这基本上转化为更高的光刻强度和更高的ASML光刻需求。因此，我们将继续与客户紧密合作以提高我们的产能。我们在2026年正在这样做，并将在2027年继续这样做。

  罗杰，或许请您补充一下。能否提供更多细节，说明我们实际将采取哪些措施来增加产能以支持市场需求？

  我认为克里斯托夫说得对。我们很明确地与客户合作，完全与客户保持一致，为他们提供所需的东西。这包括通过新系统出货来增加产能，尽我们所能升级系统性能，以及提供安装基础产品。通过这一种组合，我们努力实现用户的需求。具体到我们自身的产能，就今年（2026年）而言，我们始终相信可以在一定程度上完成至少60套低数值孔径（Low NA）EUV系统的产出。这是我们目前正在努力的方向。

  此外，我们也在关注2026年的深紫外光刻（DUV）。正如我几个月前提到的，在浸没式DUV方面，我们实际上开局有点慢，因为在去年（2025年）的过程中，我们正真看到的浸没式DUV需求明显降低。现在这样的一种情况已经逆转了。我想说，尽管开局缓慢，就今年而言，就单位数量而言，我们仍就预计浸没式DUV的销售额将与去年非常接近。这就是2026年的情况。

  展望2027年的产能，我们正在逐季度提高我们的生产节拍。具体到Low NA EUV，我们预计到2027年可以在一定程度上完成——同样，如果客户的真实需求真正支撑这一点的话——我们始终相信能够达到至少80套Low NA EUV设备的产出。我们也在努力使非EUV业务与客户对其所有节点的需求保持一致。

  显然，2026年的发展形态趋势非常好。这是非常强劲的一年。我们预计将是强劲增长的一年。基于克里斯托夫所谈到的全部客户动态，我们实际上正在收窄并同时上调我们今年的预期区间至360亿至400亿欧元。

  如果看一下不同的组成部分，正如我们已预期的，今年EUV业务将表现强劲。所以EUV业务（包括Low NA EUV和High NA EUV）今年将表现强劲。在非EUV业务方面，此前我们预计该业务与去年相比持平。但现在，我们正真看到该业务的需求实际上也在增加。因此，我们预计非EUV业务收入将增加。我已经提到了我们在浸没式DUV方面的努力，干式DUV业务表现也十分好。应用业务也是如此。因此，我们始终相信，与我们几个月前的情况相比，我们预计非EUV业务将实现增长。在安装基础业务方面，也将实现强劲增长。因为很明显，这是我们的客户增加产能以满足克里斯托夫所谈到的需求的一种非常快速的方式。

  我想说的是，在咱们提供的360亿至400亿欧元的指引范围内，我们始终相信我们也可以应对目前正在进行的出口管制讨论可能会产生的结果。

  现在稍微转换一下话题，谈谈技术。克里斯托夫，您能否就我们技术及路线图的进展提供一些见解和最新情况？

  我们继续很好地执行我们的技术路线图。每年，我们都会利用SPIE（国际光学工程学会）会议向全世界简要介绍我们所取得的成就。今年有几个重要的新闻：第一个是我们展示了1000瓦光源。这很重要，因为它说明我们可以确保Low NA EUV在未来的许多年里都具有可扩展性。这实际上意味着，到2031年，我们将能够以每小时330片晶圆的速度运行该设备，这比我们今天的水平有了重大提升。

  现在，EUV的进展对短期也有良好的影响。我们已成功地将NXE:3800E设备的吞吐量从每小时220片晶圆提高到230片。这对短期产能也有帮助。我们的客户很高兴能够从每台设备中获得更多晶圆。我们还在将下一代系统NXE:3800F的规格提高到每小时260片晶圆，此前是每小时250片。这也将有利于我们在2028年左右的产能。

  SPIE会议的好处是，我们的客户开始谈论High NA。他们报告了一些情况。第一件事当然是，High NA可以让他们显著减少掩模数量。DRAM和逻辑客户谈到，使用High NA可以将EUV的掩模数量从3个减少到1个。他们还提到，这可以将工艺步骤从100步减少到10步。这当然是意义重大的。这也就是我们开发High NA的原因。

  我们还看到了生态系统方面的巨大进步。我们的一些光刻胶合作伙伴做了精彩的演示，指出High NA在逻辑芯片方面能扩展到18纳米线宽和间距，在存储芯片方面能扩展到28纳米孔尺寸。这基本上意味着，High NA不仅已准备好进入黄金时代，而且我们已知道High NA主要可以扩展到3到4个节点。这对我们的客户来说当然非常、非常重要。

  最后，设备的成熟度很重要。我们继续看到更好的可用性数据。每天产出更多晶圆，总产出更多。当然，随着我们正真看到客户开始在真实产品上测试High NA，这一点慢慢的变重要。

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